§ 3. Gewöhnliches und reziprokes Gitter des Kristalls

Chapters in this book

1. Frontmatter I
2. VORWORT ZUR DEUTSCHEN AUSGABE VII
3. VORWORT ZUR RUSSISCHEN AUSGABE IX
4. INHALTSVERZEICHNIS XI
5. KAPITEL I. GEOMETRIE DER KRISTALLGITTER UND BEUGUNG VON RÖNTGENSTRAHLEN
6. § 1. Einfache und zusammengesetzte Kristallgitter 1
7. § 2. Beispiele konkreter Kristallstrukturen 8
8. § 3. Gewöhnliches und reziprokes Gitter des Kristalls 12
9. § 4. Die Formeln von LAUE und BRAGG für die Beugung von Röntgenstrahlen in Kristallen. Atom- und Strukturfaktor der Streuung 17
10. KAPITEL II. DIE NATUR DER WECHSELWIRKUNGSKRÄFTE DER ATOME IN KRISTALLEN
11. § 1. Über die Wechselwirkung zwischen Atomen und Ionen 23
12. § 2. Ionen- und VAN DER WAALS-Kristalle 33
13. § 3. Atomare Kristalle und Metalle 37
14. KAPITEL III. DIE SCHWINGUNGEN DER ATOME EINES KRISTALLGITTERS
15. § 1. Schwingungen und Wellen im eindimensionalen (linearen) aus gleichartigen Atomen bestehenden Gitter 42
16. § 2. Schwingungen und Wellen in einem zusammengesetzten eindimensionalen (linearen) Kristallgitter 49
17. § 3. Normalkoordinaten für das einfache eindimensionale Gitter 54
18. § 4. Schwingungen der Atome des dreidimensionalen zusammengesetzten Kristallgitters 57
19. § 5. Normalschwingungen des dreidimensionalen Gitters 68
20. § 6. Wärmekapazität des Kristallgitters 77
21. § 7. Zustandsgleichung des festen Körpers 85
22. § 8. Phononen 89
23. § 9. Wärmeausdehnung und Wärmeleitfähigkeit im testen Körper 92
24. KAPITEL IV. ELEKTRONEN IM IDEALEN KRISTALL
25. § 1. Allgemeine Aufgabenstellung. Adiabatische Näherung 96
26. § 2. HARTREE-FOCK-Methode 99
27. § 3. Die Methoden von HEITLER-LONDON-HEISENBERG (HLH) und HUNDMULLIKEN- BLOCH (HMB) in der Elektronentheorie der Kristalle 106
28. § 4. Allgemeine Eigenschaften eines sich im periodischen Feld bewegenden Elektrons 109
29. § 5. Der Begriff des positiven Defektelektrons des fast gefällten Valenzbandes 121
30. § 6. Die Näherung nahezu freier (schwach gebundener) Elektronen. BRILLOUIN-Zonen 125
31. § 7. Die Näherung stark gebundener Elektronen 136
32. § 8. Die Struktur der Energiebänder für eine Reihe konkreter Halbleiter 152
33. KAPITEL V. LOKALISIERTE ZUSTÄNDE DES ELEKTRONS IM KRISTALL
34. § 1. Bewegung des Elektrons im gestörten periodischen Feld (Methode der effektiven Masse) 157
35. § 2. Lokalisierte Zustände des Elektrons im nichtidealen Kristall 162
36. § 3. Excitonen 167
37. § 4. Polaronen 173
38. KAPITEL VI. ELEKTRISCHE, MAGNETISCHE UND WÄRMEEIGENSCHAFTEN DES FESTEN KÖRPERS
39. § 1. Metalle, Dielektrika und Halbleiter 181
40. § 2. Statistisches Gleichgewicht freier Elektronen in Halbleitern und Metallen 183
41. § 3. Die Wärmekapazität freier Elektronen in Metallen und Halbleitern 195
42. § 4. Magnetische Eigenschaften der Stoffe. Der Paramagnetismus der Gase und der Leitungselektronen in Metallen und Halbleitern 198
43. § 5. Der Diamagnetismus der Atome und Leitfähigkeitselektronen. Magnetische Eigenschaften von Halbleitern 206
44. § 6. Zyklotronresonanz (diamagnetische Resonanz) 217
45. § 7. Der Kontakt Halbleiter — Metall. Gleichrichtung 226
46. § 8. Eigenschaften von p — n-Übergängen 233
47. KAPITEL VII. TRANSPORTGLEICHUNG UND RELAXATIONSZEIT FÜR LEITFÄHIGKEITSELEKTRONEN IN KRISTALLEN
48. § 1. Transporterscheinungen und BOLTZMANN-Gleichung 242
49. § 2. Die Transportgleichung für Elektronen im Kristall 251
50. § 3. Die Streuung der Elektronen an Gitterschwingungen im atomaren Kristall 254
51. § 4. Relaxationszeit der Leitungselektronen im atomaren Halbleiter und im Metall 258
52. § 5. Die Theorie des Deformationspotentials in kubischen Kristallen mit einfacher Bänderstruktur 263
53. § 6. Die Relaxationszeit der Leitungselektronen in Ionenkristallen 268
54. § 7. Streuung von Leitfähigkeitselektronen an geladenen und neutralen Störstellenatomen 273
55. KAPITEL VIII. TRANSPORTERSCHEINUNGEN IN HALBLEITERN
56. § 1. Einführung 279
57. § 2. Die Bestimmung der Nichtgleichgewichtsverteilungsfunktion der Leitfähigkeitselektronen im Falle sphärischer Form der Flächen konstanter Energie. Elektrische Leitfähigkeit atomarer nichtentarteter Halbleiter 280
58. § 3. Thermoelektrische Erscheinungen in nichtentarteten atomaren Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur 286
59. § 4. Galvanomagnetische Erscheinungen in nichtentarteten atomaren Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur 294
60. § 5. Thermomagnetische Erscheinungen in nichtentarteten atomaren Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur 302
61. § 6. Transporterscheinungen in nichtentarteten Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur bei verschiedenen Streumechanismen 306
62. § 7. Transporterscheinungen in Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur bei beliebiger Entartung der Ladungsträger 319
63. § 8. Transporterscheinungen in Halbleitern mit komplizierter Bänderstruktur 325
64. § 9. „Drag" - Effekt der Phononen in Halbleitern 345
65. Anhang 353
66. Namenverzeichnis 395
67. Sachverzeichnis 397